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TO-252 IPD33CN10NG con transistor de chip de alta calidad precio nuevo y original

Breve descripción:


Detalle del producto

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Atributos del producto

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos

Transistores – FET, MOSFET – Sencillos

fabricante Tecnologías Infineon
Serie OptiMOS™
Paquete Cinta y carrete (TR)

Cinta cortada (CT)

Digi-Reel®

Estado del producto Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 100 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 33 mOhmios a 27 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 29μA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF a 50 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 58W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Estuche TO-252-3, DPak (2 cables + pestaña), SC-63
Número de producto básico IPD33CN10

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Documentos y medios

TIPO DE RECURSO ENLACE
Hojas de datos IPx3xCN10N G
Otros documentos relacionados Guía de números de pieza
Producto destacado Sistemas de procesamiento de datos
Hoja de datos HTML IPx3xCN10N G
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ modelo Spice de canal N de 100 V

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Estado de ALCANCE REACH No afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionales

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Otros nombres IPD33CN10NGATMA1-ND

IPD33CN10NGATMA1CT

IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

IPD33CN10NGATMA1DKR

Paquete estándar 2.500

Un transistor es un dispositivo semiconductor que se usa comúnmente en amplificadores o interruptores controlados electrónicamente.Los transistores son los componentes básicos que regulan el funcionamiento de las computadoras, los teléfonos móviles y todos los demás circuitos electrónicos modernos.

Debido a su rápida velocidad de respuesta y alta precisión, los transistores se pueden utilizar para una amplia variedad de funciones digitales y analógicas, incluidas amplificación, conmutación, regulador de voltaje, modulación de señal y oscilador.Los transistores se pueden empaquetar individualmente o en un área muy pequeña que pueda contener 100 millones o más de transistores como parte de un circuito integrado.

Comparado con el tubo de electrones, el transistor tiene muchas ventajas:

1.El componente no tiene consumo.

No importa qué tan bueno sea el tubo, se deteriorará gradualmente debido a cambios en los átomos del cátodo y fugas crónicas de aire.Por razones técnicas, los transistores tuvieron el mismo problema cuando se fabricaron por primera vez.Con avances en materiales y mejoras en muchos aspectos, los transistores suelen durar entre 100 y 1000 veces más que los tubos electrónicos.

2.Consume muy poca energía

Es sólo una décima o decenas de uno del tubo de electrones.No es necesario calentar el filamento para producir electrones libres como el tubo de electrones.Una radio de transistores sólo necesita unas pocas baterías secas para funcionar durante seis meses al año, lo cual es difícil de lograr en una radio de válvulas.

3.No es necesario precalentar

Trabaja tan pronto como lo enciendas.Por ejemplo, una radio de transistores se apaga tan pronto como se enciende, y un televisor de transistores establece una imagen tan pronto como se enciende.Los equipos de tubos de vacío no pueden hacer eso.Después del arranque, espere un momento para escuchar el sonido, vea la imagen.Claramente, en el ámbito militar, medición, grabación, etc., los transistores son muy ventajosos.

4.Fuerte y confiable

100 veces más confiable que el tubo de electrones, resistencia a los golpes, resistencia a las vibraciones, incomparable al tubo de electrones.Además, el tamaño del transistor es sólo de una décima a una centésima parte del tamaño del tubo de electrones, y se puede utilizar muy poca liberación de calor para diseñar circuitos pequeños, complejos y confiables.Aunque el proceso de fabricación del transistor es preciso, el proceso es simple, lo que favorece la mejora de la densidad de instalación de los componentes.


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