Nuevo circuito integrado Original BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5
El nivel lógico de los MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de telecomunicaciones, adaptadores y carga inalámbrica.La baja carga de puerta de los dispositivos (Q g) reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción.Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación.Además, el control de nivel lógico proporciona un umbral de puerta bajo.Mantenga el voltaje (V GS (th)) lo que permite que los MOSFET funcionen a 5 V y directamente desde los microcontroladores.
Resumen de características
Low R DS (encendido) en paquete pequeño
Cargo de puerta bajo
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
Beneficios
Diseños de mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación
Recuento de piezas reducido dondequiera que haya suministros de 5 V disponibles
Impulsado directamente desde microcontroladores (conmutación lenta)
Reducción de costos del sistema
Paramétricos
| Paramétricos | BSZ040N06LS5 |
| Precio Presupuestario €/1k | 0,56 |
| ciss | 2400 pF |
| cos | 500 pF |
| DI (@25°C) máx. | 101A |
| IDpuls máx. | 404A |
| Montaje | SMD |
| Temperatura de funcionamiento mín. máx. | -55°C 150°C |
| Pto máx. | 69 vatios |
| Paquete | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Número de pines | 8 pines |
| Polaridad | N |
| QG (tipo @4.5V) | 18 NC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (encendido) (@4,5 V LL) máx. | 5,6 mΩ |
| RDS (encendido) (@4,5 V) máx. | 5,6 mΩ |
| RDS (encendido) (@10V) máx. | 4 mΩ |
| Rth máx. | 1,8 kilovatios |
| RthJA máx. | 62 kilovatios |
| RthJC máx. | 1,8 kilovatios |
| VDS máx. | 60 voltios |
| VGS(th) mín. máx. | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
