Chip Merrill nuevo y Original en stock componentes electrónicos circuito integrado IC IRFB4110PBF
Atributos del producto
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| fabricante | Tecnologías Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) | 100 voltios |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 120A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) | 10V |
| Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs | 4,5 mOhmios a 75 A, 10 V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250μA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC a 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9620 pF a 50 V |
| Función FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 370W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / Estuche | A-220-3 |
| Número de producto básico | IRFB4110 |
Documentos y medios
| TIPO DE RECURSO | ENLACE |
| Hojas de datos | IRFB4110PbF |
| Otros documentos relacionados | Sistema de numeración de piezas por infrarrojos |
| Módulos de formación de productos | Circuitos integrados de alto voltaje (controladores de puerta HVIC) |
| Producto destacado | Robótica y Vehículos Guiados Automatizados (AGV) |
| Hoja de datos HTML | IRFB4110PbF |
| Modelos EDA | IRFB4110PBF de SnapEDA |
| Modelos de simulación | Modelo sable IRFB4110PBF |
Clasificaciones ambientales y de exportación
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Estado de ALCANCE | REACH No afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionales
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Otros nombres | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Paquete estándar | 50 |
La familia de MOSFET de potencia Strong IRFET™ está optimizada para RDS bajo (encendido) y capacidad de corriente alta.Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
Resumen de características
Paquete de energía de orificio pasante estándar de la industria
Clasificación de alta corriente
Calificación del producto según estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones que cambian por debajo de <100 kHz
Diodo de cuerpo más blando en comparación con la generación de silicio anterior
Amplio portafolio disponible
Beneficios
La distribución de pines estándar permite el reemplazo directo
Paquete de capacidad de transporte de alta corriente
Nivel de calificación estándar de la industria
Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
Mayor densidad de potencia
Proporciona a los diseñadores flexibilidad para seleccionar el dispositivo más óptimo para su aplicación.
Paramétricos
| Paramétricos | IRFB4110 |
| Precio Presupuestario €/1k | 1,99 |
| DI (@25°C) máx. | 180 A |
| Montaje | tht |
| Temperatura de funcionamiento mín. máx. | -55°C 175°C |
| Pto máx. | 370W |
| Paquete | A-220 |
| Polaridad | N |
| QG (tipo @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 NC |
| RDS (encendido) (@10V) máx. | 4,5 mΩ |
| RthJC máx. | 0,4 kilovatios |
| Tj máx. | 175ºC |
| VDS máx. | 100 voltios |
| VGS(th) mín. máx. | 3V 2V 4V |
| VGS máx. | 20 voltios |
Productos semiconductores discretos
Los productos semiconductores discretos incluyen transistores, diodos y tiristores individuales, así como pequeños conjuntos de los mismos compuestos por dos, tres, cuatro o algún otro número pequeño de dispositivos similares dentro de un solo paquete.Se utilizan más comúnmente para construir circuitos con tensión o tensión de corriente considerable, o para realizar funciones de circuitos muy básicas.
