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IPD068P03L3G nuevos componentes electrónicos originales IC chip MCU BOM servicio en stock IPD068P03L3G

Breve descripción:


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Atributos del producto

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos

Transistores – FET, MOSFET – Sencillos

fabricante Tecnologías Infineon
Serie OptiMOS™
Paquete Cinta y carrete (TR)

Cinta cortada (CT)

Digi-Reel®

Estado del producto Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 4,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 6,8 mOhmios a 70 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2 V a 150 µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF a 15 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Estuche TO-252-3, DPak (2 cables + pestaña), SC-63
Número de producto básico IPD068

Documentos y medios

TIPO DE RECURSO ENLACE
Hojas de datos IPD068P03L3G
Otros documentos relacionados Guía de números de pieza
Producto destacado Sistemas de procesamiento de datos
Hoja de datos HTML IPD068P03L3G
Modelos EDA IPD068P03L3GATMA1 por Ultra Bibliotecario

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Estado de ALCANCE REACH No afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionales

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Otros nombres IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Paquete estándar 2.500

Transistor

Un transistor es undispositivo semiconductorsolía hacerloamplificarocambiarseñales eléctricas yfuerza.El transistor es uno de los componentes básicos de la tecnología moderna.electrónica.[1]Esta compuesto dematerial semiconductor, generalmente con al menos tresterminalespara conexión a un circuito electrónico.AVoltajeoactualaplicado a un par de terminales del transistor controla la corriente a través de otro par de terminales.Debido a que la potencia controlada (de salida) puede ser mayor que la potencia de control (de entrada), un transistor puede amplificar una señal.Algunos transistores están empaquetados individualmente, pero muchos más se encuentran integrados encircuitos integrados.

austro-húngaro físico Julio Edgar Lilienfeldpropuso el concepto deTransistor de efecto de campoen 1926, pero en ese momento no fue posible construir un dispositivo que funcionara.[2]El primer dispositivo funcional que se construyó fue untransistor de punto de contactoinventado en 1947 por físicos estadounidensesJuan BardeenyWalter Brattainmientras trabajaba bajoWilliam ShockleyenLaboratorios Bell.Los tres compartieron el 1956.Premio Nobel de Físicapor su logro.[3]El tipo de transistor más utilizado es eltransistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico(MOSFET), que fue inventado porMohamed AtallayDawon Kahngen los Laboratorios Bell en 1959.[4][5][6]Los transistores revolucionaron el campo de la electrónica y allanaron el camino para productos más pequeños y baratos.radios,calculadoras, yordenadores, entre otras cosas.

La mayoría de los transistores están hechos de materiales muy puros.silicio, y algunos degermanio, pero a veces se utilizan otros materiales semiconductores.Un transistor puede tener sólo un tipo de portador de carga, en un transistor de efecto de campo, o puede tener dos tipos de portadores de carga enTransistor de unión bipolardispositivos.Comparado con eltubo vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos energía para funcionar.Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores a frecuencias operativas muy altas o voltajes operativos altos.Varios fabricantes fabrican muchos tipos de transistores según especificaciones estandarizadas.


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