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AQX IRF7416TRPBF nuevo y original circuito integrado chip ic IRF7416TRPBF

Breve descripción:


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Atributos del producto

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos

Transistores – FET, MOSFET – Sencillos

fabricante Tecnologías Infineon
Serie HEXFET®
Paquete Cinta y carrete (TR)

Cinta cortada (CT)

Digi-Reel®

Estado del producto Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 4,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 20 mOhmios a 5,6 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 1V @ 250μA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF a 25 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 2,5 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Estuche 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de ancho)
Número de producto básico IRF7416

Documentos y medios

TIPO DE RECURSO ENLACE
Hojas de datos IRF7416PbF
Otros documentos relacionados Sistema de numeración de piezas por infrarrojos
Módulos de formación de productos Circuitos integrados de alto voltaje (controladores de puerta HVIC)

MOSFET de potencia discreta de 40 V y menos

Producto destacado Sistemas de procesamiento de datos
Hoja de datos HTML IRF7416PbF
Modelos EDA IRF7416TRPBF de Ultra Bibliotecario
Modelos de simulación Modelo sable IRF7416PBF

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Estado de ALCANCE REACH No afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionales

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Otros nombres IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Paquete estándar 4.000

IRF7416

Beneficios
Estructura de celda plana para SOA amplia
Optimizado para una más amplia disponibilidad por parte de los socios de distribución
Calificación del producto según estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones que cambian por debajo de <100 KHz
Paquete de energía de montaje en superficie estándar de la industria
Capaz de ser soldado por ola
MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -30 V en un paquete SO-8
Beneficios
RoHS
RDS bajo (activado)
Calidad líder en la industria
Clasificación dinámica dv/dt
Cambio rápido
Totalmente clasificado para avalanchas
Temperatura de funcionamiento de 175°C
MOSFET de canal P

Transistor

Un transistor es undispositivo semiconductorsolía hacerloamplificarocambiarseñales eléctricas yfuerza.El transistor es uno de los componentes básicos de la tecnología moderna.electrónica.[1]Esta compuesto dematerial semiconductor, generalmente con al menos tresterminalespara conexión a un circuito electrónico.AVoltajeoactualaplicado a un par de terminales del transistor controla la corriente a través de otro par de terminales.Debido a que la potencia controlada (de salida) puede ser mayor que la potencia de control (de entrada), un transistor puede amplificar una señal.Algunos transistores están empaquetados individualmente, pero muchos más se encuentran integrados encircuitos integrados.

austro-húngaro físico Julio Edgar Lilienfeldpropuso el concepto deTransistor de efecto de campoen 1926, pero en ese momento no fue posible construir un dispositivo que funcionara.[2]El primer dispositivo funcional que se construyó fue untransistor de punto de contactoinventado en 1947 por físicos estadounidensesJuan BardeenyWalter Brattainmientras trabajaba bajoWilliam ShockleyenLaboratorios Bell.Los tres compartieron el 1956.Premio Nobel de Físicapor su logro.[3]El tipo de transistor más utilizado es eltransistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico(MOSFET), que fue inventado porMohamed AtallayDawon Kahngen los Laboratorios Bell en 1959.[4][5][6]Los transistores revolucionaron el campo de la electrónica y allanaron el camino para productos más pequeños y baratos.radios,calculadoras, yordenadores, entre otras cosas.

La mayoría de los transistores están hechos de materiales muy puros.silicio, y algunos degermanio, pero a veces se utilizan otros materiales semiconductores.Un transistor puede tener sólo un tipo de portador de carga, en un transistor de efecto de campo, o puede tener dos tipos de portadores de carga enTransistor de unión bipolardispositivos.Comparado con eltubo vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos energía para funcionar.Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores a frecuencias operativas muy altas o voltajes operativos altos.Varios fabricantes fabrican muchos tipos de transistores según especificaciones estandarizadas.


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