IPD036N04LG ICS vendedor caliente nuevo y original con alta calidad
Atributos del producto
TIPO | DESCRIPCIÓN |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
fabricante | Tecnologías Infineon |
Serie | OptiMOS™ 3 |
Paquete | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® |
Estado del producto | Activo |
Tipo FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) | 40 voltios |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 90A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) | 4,5 V, 10 V |
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs | 3,6 mOhmios a 90 A, 10 V |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2 V a 45 µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC a 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF a 20 V |
Función FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 94W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Montaje superficial |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-11 |
Paquete / Estuche | TO-252-3, DPak (2 cables + pestaña), SC-63 |
Número de producto básico | IPD036 |
Documentos y medios
TIPO DE RECURSO | ENLACE |
Hojas de datos | IPD036N04LG |
Clasificaciones ambientales y de exportación
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado de ALCANCE | REACH No afectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionales
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
Otros nombres | 448-IPD036N04LGATMA1TR SP001128832 448-IPD036N04LGATMA1DKR 448-IPD036N04LGATMA1CT |
Paquete estándar | 2.500 |
Un transistor es un dispositivo semiconductor que se usa comúnmente en amplificadores o interruptores controlados electrónicamente.Los transistores son los componentes básicos que regulan el funcionamiento de las computadoras, los teléfonos móviles y todos los demás circuitos electrónicos modernos.
Debido a su rápida velocidad de respuesta y alta precisión, los transistores se pueden utilizar para una amplia variedad de funciones digitales y analógicas, incluidas amplificación, conmutación, regulador de voltaje, modulación de señal y oscilador.Los transistores se pueden empaquetar individualmente o en un área muy pequeña que pueda contener 100 millones o más de transistores como parte de un circuito integrado.
Comparado con el tubo de electrones, el transistor tiene muchas ventajas:
1.El componente no tiene consumo.
No importa qué tan bueno sea el tubo, se deteriorará gradualmente debido a cambios en los átomos del cátodo y fugas crónicas de aire.Por razones técnicas, los transistores tuvieron el mismo problema cuando se fabricaron por primera vez.Con avances en materiales y mejoras en muchos aspectos, los transistores suelen durar entre 100 y 1000 veces más que los tubos electrónicos.
2.Consume muy poca energía
Es sólo una décima o decenas de uno del tubo de electrones.No es necesario calentar el filamento para producir electrones libres como el tubo de electrones.Una radio de transistores sólo necesita unas pocas baterías secas para funcionar durante seis meses al año, lo cual es difícil de lograr en una radio de válvulas.
3.No es necesario precalentar
Trabaja tan pronto como lo enciendas.Por ejemplo, una radio de transistores se apaga tan pronto como se enciende, y un televisor de transistores establece una imagen tan pronto como se enciende.Los equipos de tubos de vacío no pueden hacer eso.Después del arranque, espere un momento para escuchar el sonido, vea la imagen.Claramente, en el ámbito militar, medición, grabación, etc., los transistores son muy ventajosos.
4.Fuerte y confiable
100 veces más confiable que el tubo de electrones, resistencia a los golpes, resistencia a las vibraciones, incomparable al tubo de electrones.Además, el tamaño del transistor es sólo de una décima a una centésima parte del tamaño del tubo de electrones, y se puede utilizar muy poca liberación de calor para diseñar circuitos pequeños, complejos y confiables.Aunque el proceso de fabricación del transistor es preciso, el proceso es simple, lo que favorece la mejora de la densidad de instalación de los componentes.