XCKU060-2FFVA1156I 100% nuevo y original convertidor de CC a CC y chip regulador de conmutación

XCKU060-2FFVA1156I Convertidor de CC a CC y chip regulador de conmutación 100% nuevo y original Imagen destacada

Breve descripción:

Los dispositivos -1L pueden funcionar con cualquiera de dos voltajes VCCINT, 0,95 V y 0,90 V, y están protegidos para una potencia estática máxima más baja.Cuando se opera a VCCINT = 0,95 V, la especificación de velocidad de un dispositivo -1L es la misma que la del grado de velocidad -1.Cuando se opera a VCCINT = 0,90 V, se reduce el rendimiento de -1L y la potencia estática y dinámica. Las características de CC y CA se especifican en rangos de temperatura comerciales, extendidos, industriales y militares.

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Detalle del producto

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Atributos del producto

TIPO	ILUSTRAR
categoría	Matrices de puertas programables en campo (FPGA)
fabricante	AMD
serie	Kintex® UltraScale™
envoltura	a granel
Estado del producto	Activo
DigiKey es programable	No verificado
Número de laboratorio/CLB	41460
Número de elementos/unidades lógicas	725550
Número total de bits de RAM	38912000
Número de E/S	520
Voltaje - Fuente de alimentación	0,922 V ~ 0,979 V
Tipo de instalación	Tipo de adhesivo de superficie
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 100°C (TJ)
Paquete/vivienda	1156-BBGA、FCBGA
Encapsulación de componentes del proveedor	1156-FCBGA (35x35)
Número maestro del producto	XCKU060

Tipo de circuito integrado

En comparación con los electrones, los fotones no tienen masa estática, interactúan débilmente, tienen una gran capacidad antiinterferente y son más adecuados para la transmisión de información.Se espera que la interconexión óptica se convierta en la tecnología central para romper el muro de consumo de energía, el muro de almacenamiento y el muro de comunicación.Los dispositivos iluminantes, acopladores, moduladores y guías de ondas están integrados en características ópticas de alta densidad, como el microsistema fotoeléctrico integrado, pueden lograr la calidad, el volumen y el consumo de energía de la integración fotoeléctrica de alta densidad, la plataforma de integración fotoeléctrica que incluye el semiconductor monolítico compuesto III - V integrado (INP ) plataforma de integración pasiva, plataforma de silicato o vidrio (guía de ondas óptica plana, PLC) y plataforma basada en silicio.

La plataforma InP se utiliza principalmente para la producción de láser, moduladores, detectores y otros dispositivos activos, de bajo nivel tecnológico y alto costo de sustrato;Uso de plataforma PLC para producir componentes pasivos, bajas pérdidas, gran volumen;El mayor problema de ambas plataformas es que los materiales no son compatibles con la electrónica basada en silicio.La ventaja más destacada de la integración fotónica basada en silicio es que el proceso es compatible con el proceso CMOS y el costo de producción es bajo, por lo que se considera el esquema de integración optoelectrónica e incluso totalmente óptica con mayor potencial.

Existen dos métodos de integración para dispositivos fotónicos basados en silicio y circuitos CMOS.

La ventaja del primero es que los dispositivos fotónicos y electrónicos se pueden optimizar por separado, pero el empaquetado posterior es difícil y las aplicaciones comerciales son limitadas.Este último es difícil de diseñar y procesar la integración de los dos dispositivos.En la actualidad, el ensamblaje híbrido basado en la integración de partículas nucleares es la mejor opción.

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