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IPD031N06L3G nuevos componentes electrónicos originales chip ic MCU BOM servicio en stock IPD031N06L3G
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 60 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máximo encendido, Rds mínimo encendido) 4,5 V, Rds de 10 V encendido (máx.) a Id, Vgs 3,1 mOhmios @ 100A... -
IMZA65R072M1H Chips CI Transistores Componentes electrónicos Circuito integrado Condensador IMZA65R072M1H
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies - Tubo de paquete Estado del producto Tipo de FET activo - Tecnología - Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 28 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Función FET - Disipación de energía (Max) - Temperatura de funcionamiento - Número de producto base IMZA6.. . -
Cita Lista de materiales IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Circuito integrado
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Diodos - Rectificadores - Matrices Mfr Infineon Technologies Serie Rapid 2 Paquete Tubo Estado del producto Configuración del diodo activo 1 par Cátodo común Tipo de diodo Voltaje estándar - CC inversa (Vr) (Máx.) Corriente de 650 V - Promedio rectificado ( Io) (por diodo) Voltaje de 15 A: directo (Vf) (máx.) @ Si 2,2 V a 15 A Velocidad de recuperación rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) Recuperación inversa... -
KWM Original nuevo BSZ100 Transistor PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS circuito integrado IC chip en stock
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 60 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip nuevo circuito integrado Original
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 25 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máximo encendido, Rds mínimo encendido) 4,5 V, Rds 10 V encendido (máx.) @ Identificación, Vgs 6mOhm... -
(STOCK) BSS138NH6327 componentes electrónicos nuevos y originales producto caliente
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete SIPMOS® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 60 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 230 mA (Ta) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Mín. Rds activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 3,5 Ohmios a 230 mA... -
Original nuevo en Stock MOSFET Transistor diodo tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip componente electrónico
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete SIPMOS® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 600 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 120 mA (Ta) Voltaje de accionamiento (Rds máximo encendido, Rds mínimo encendido) 4,5 V, Rds de 10 V encendido (máx.) a Id, Vgs 45 ohmios @ 120mA... -
Nuevo MOSFET original TDSON-8 BSC0902NSI
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 30 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máximo encendido, Rds mínimo encendido) 4,5 V, Rds 10 V encendido (máx.) @ Identificación, Vgs 2,8 m... -
Nuevo circuito integrado en Stock TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Chip Ic
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 100 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 6 V, 10 V Rds activado (Máx.) @ Identificación, Vgs 16mOh... -
Circuito integrado BSC100N06LS3G nuevo y original.
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 60 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (Máx.) @ Identificación, Vgs 10 mOh... -
Componente electrónico original del chip CI BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 100 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mínimo Rds encendido) 6 V, 10 V Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G nuevo y original circuito integrado ic chip BSC060N10NS3G atributos del producto
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 100 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 6 V, 10 V Rds activado (Máx.) @ Identificación, Vgs 6mOh...
