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Nuevos componentes electrónicos originales IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal P MOSFET (óxido metálico) ) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 23 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 117 mOhm a 14 A, 10V... -
Chip CI del circuito integrado IRF8736TRPBF del chip CI del distribuidor de la pieza original al por mayor
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 30 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 4,5 V, 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 4,8 mOhmios @ 18A, 1... -
Chip IC nuevo y original del componente electrónico IRF7103TRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Matrices Fabricante Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto FET activo Tipo 2 FET de canal N (doble) Característica Voltaje estándar de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 30 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 6,5 A Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 29 mOhm a 5,8 A, 10 V Vgs (th) (máx.) a Id 1 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Máx.... -
Chip CI nuevo y original IRF7103TRPBF del circuito integrado IRF7103TRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Matrices Fabricante Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto FET activo Tipo 2 FET de canal N (doble) Característica Voltaje estándar de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 50 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 3 A Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 130 mOhm a 3 A, 10 V Vgs (th) (máx.) a Id 3 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Máx.) @... -
Chip CI nuevo y original IRF7103TRPBF del circuito integrado IRF7103TRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Matrices Fabricante Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto FET activo Tipo 2 FET de canal N (doble) Característica Voltaje estándar de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 50 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 3 A Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 130 mOhm a 3 A, 10 V Vgs (th) (máx.) a Id 3 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Máx.) @... -
Servicio nuevo y original de la lista de materiales del chip CI de los componentes electrónicos IRF4905STRLPBF en existencia IRF4905STRLPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal P MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 55 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 42 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Mín. Rds activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 20 mOhm a 42 A, 10V V... -
Circuitos integrados originales a estrenar del chip CI IRF3205STRLPBF de los componentes electrónicos
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 55 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 8 mOhm a 62 A, 10V V... -
IRF100S201 Advantage Supply Stock Nuevo servicio inteligente original de BOM de chips CI para IRF100S201
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Paquete Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (Óxido metálico) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 192 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (Máx.) a Id, Vgs 4,2 oficial médico... -
IPW60R099P7 nuevo original en existencia entrega rápida IC Chip componentes electrónicos BOM servicio para IPW60R099P7
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Circuitos integrados (CI) Circuitos integrados especializados Serie Mfr Infineon Technologies - Paquete Estado del producto a granel Documentos y medios activos TIPO DE RECURSO ENLACE Hojas de datos IPW60R099P7 Hoja de datos Clasificaciones ambientales y de exportación DESCRIPCIÓN DEL ATRIBUTO ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Recursos adicionales DESCRIPCIÓN DEL ATRIBUTO Otros nombres 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Paquete estándar 1 Un circuito integrado... -
Circuito integrado nuevo IPD135N08N3G
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Estado del producto Obsoleto Tipo FET Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 80 Corriente V: Drenaje continuo (Id) a 25 °C 45 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 6 V, 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 13,5 mOhm a 45 A, 10 V Vgs (th) ( Máximo) @ Identidad... -
IPD036N04LG ICS vendedor caliente nuevo y original con alta calidad
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ 3 Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (metal Óxido) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 40 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 3,6 mOhmios a 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG con transistor de chip de alta calidad precio nuevo y original
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 100 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 27 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 33 mOhm a 27 A, 10V...
