-
Chip IC semiconductor de circuito integrado de componentes electrónicos IRFS7440TRLPBF original nuevo de fábrica de China a la venta
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Paquete Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (Óxido metálico) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 40 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 2.5... -
Circuitos integrados IRFS3607TRLPBF Chip CI IRFS3607TRLPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 75 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 9 mOhm a 46 A, 10V Vg... -
(Mejor precio de contacto) IRFR7540TRPBF Piezas de componentes electrónicos Circuito integrado MCU Chips CI IRFR7540TRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete StrongIRFET™ Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 60 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 6 V, Rds de 10 V activado (máx.) a Id, Vgs 4,8 mOhm @66A... -
Circuitos integrados IRFR3504ZTRPBF Contacto Mejor precio IC Chip IRFR3504ZTRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 40 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 42 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 9 mOhm a 42 A, 10V Vg... -
(Mejor precio de contacto) IRFR220NTRPBF Piezas de componentes electrónicos Circuito integrado MCU Chips CI IRFR220NTRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 200 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 600 mOhm a 2,9 A , 10V... -
Chips CI MCU IRFP4321PBF del circuito integrado de las piezas de los componentes electrónicos de IRFP4321PBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Fabricante único Serie Infineon Technologies Tubo encapsulado HEXFET® Estado del producto Tipo FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) Drenaje a fuente Voltaje (Vdss) Corriente de 150 V - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 78 A (Tc) Voltaje del variador (Máx. Rds encendido, mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 15,5 mOhm a 33 A, 10 V Vgs (th) (Máx.) a Id 5 V a 250 µA Puerta Cha... -
Microcontrolador IRFH5020TRPBF, chips CI originales y nuevos de circuito integrado en existencia IRFH5020TRPBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 200 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 5,1 A (Ta) Voltaje de accionamiento (Rds máx activado, Rds mínimo activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 55 mOhm a 7,5 Un, 10V... -
Circuitos integrados IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF al mejor precio
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Estado del producto Digi-Reel® Última compra Tipo FET Tecnología de canal N MOSFET ( Óxido metálico) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 75 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 17 A (Ta), 100 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (Máx.) @ Identificación, Vgs 5,9m... -
Nuevo MOSFET original TO-220-3 IRFB4321PBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Serie de rectificador internacional de fabricante único Paquete HEXFET® Estado del producto a granel Tipo FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) Drenaje a fuente Voltaje (Vdss) Corriente de 150 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 85 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 15 mOhm a 33 A, 10 V Vgs (th) (Máx.) a Id 5 V a 250 µA Puerta Cha... -
(Mejor precio de contacto) IRFB4019PBF Piezas de componentes electrónicos Circuito integrado MCU Chips CI IRFB4019PBF
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Fabricante único Serie Infineon Technologies - Tubo de paquete Estado del producto Tipo FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) Drenaje a fuente Voltaje (Vdss) Corriente de 150 V - Drenaje continuo ( Id) a 25 °C 17 A (Tc) Voltaje del variador (Máx. Rds activado, Min Rds activado) 10 V Rds activado (máx.) a Id, Vgs 95 mOhm a 10 A, 10 V Vgs (th) (máx.) a Id 4,9 V a 50 µA Puerta Carga (Qg... -
Componentes electrónicos IRF9540NSTRLPBF nuevos y originales IRF9540NSTRLPBF con alta calidad a precio competitivo
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal P MOSFET (óxido metálico) ) Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaje continuo (Id) a 25 °C 23 A (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 117 mOhm a 14 A, 10V... -
Chip CI del circuito integrado IRF8736TRPBF del chip CI del distribuidor de la pieza original al por mayor
Atributos del producto TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado del producto Tipo de FET activo Tecnología de canal N MOSFET (óxido metálico) ) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente de 30 V: drenaje continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 4,5 V, 10 V Rds encendido (máx.) a Id, Vgs 4,8 mOhmios @ 18A, 1...
