10AX066H3F34E2SG 100% amplificador de aislamiento nuevo y Original 1 circuito diferencial 8-SOP
Atributos del producto
| RoHS de la UE | Obediente |
| ECCN (EE. UU.) | 3A001.a.7.b |
| Estado de la pieza | Activo |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Automotor | No |
| PPAP | No |
| Apellido | Arria® 10 GX |
| Proceso tecnológico | 20nm |
| E/S de usuario | 492 |
| Número de registros | 1002160 |
| Tensión de alimentación operativa (V) | 0,9 |
| Elementos lógicos | 660000 |
| Número de multiplicadores | 3356 (18x19) |
| Tipo de memoria del programa | SRAM |
| Memoria integrada (Kbit) | 42660 |
| Número total de RAM de bloque | 2133 |
| Unidades lógicas del dispositivo | 660000 |
| Número de dispositivo de DLL/PLL | 16 |
| Canales transceptores | 24 |
| Velocidad del transceptor (Gbps) | 17.4 |
| DSP dedicado | 1678 |
| PCIe | 2 |
| Programabilidad | Sí |
| Soporte de reprogramabilidad | Sí |
| Protección de copia | Sí |
| Programabilidad dentro del sistema | Sí |
| Grado de velocidad | 3 |
| Estándares de E/S de un solo extremo | LVTTL|LVCMOS |
| Interfaz de memoria externa | DDR3 SDRAM|DDR4|LPDDR3|RLDRAM II|RLDRAM III|QDRII+SRAM |
| Tensión de alimentación mínima de funcionamiento (V) | 0,87 |
| Voltaje de suministro máximo de funcionamiento (V) | 0,93 |
| Voltaje de E/S (V) | 1,2|1,25|1,35|1,5|1,8|2,5|3 |
| Temperatura mínima de funcionamiento (°C) | 0 |
| Temperatura máxima de funcionamiento (°C) | 100 |
| Grado de temperatura del proveedor | Extendido |
| Nombre comercial | Arría |
| Montaje | Montaje superficial |
| Altura del paquete | 2.63 |
| Ancho del paquete | 35 |
| Longitud del paquete | 35 |
| PCB cambiado | 1152 |
| Nombre del paquete estándar | BGA |
| Paquete de proveedor | FC-FBGA |
| Número de pines | 1152 |
| Forma de plomo | Pelota |
Tipo de circuito integrado
En comparación con los electrones, los fotones no tienen masa estática, interactúan débilmente, tienen una gran capacidad antiinterferente y son más adecuados para la transmisión de información.Se espera que la interconexión óptica se convierta en la tecnología central para romper el muro de consumo de energía, el muro de almacenamiento y el muro de comunicación.Los dispositivos iluminantes, acopladores, moduladores y guías de ondas están integrados en características ópticas de alta densidad, como el microsistema fotoeléctrico integrado, pueden lograr la calidad, el volumen y el consumo de energía de la integración fotoeléctrica de alta densidad, la plataforma de integración fotoeléctrica que incluye el semiconductor monolítico compuesto III - V integrado (INP ) plataforma de integración pasiva, plataforma de silicato o vidrio (guía de ondas óptica plana, PLC) y plataforma basada en silicio.
La plataforma InP se utiliza principalmente para la producción de láser, moduladores, detectores y otros dispositivos activos, de bajo nivel tecnológico y alto costo de sustrato;Uso de plataforma PLC para producir componentes pasivos, bajas pérdidas, gran volumen;El mayor problema de ambas plataformas es que los materiales no son compatibles con la electrónica basada en silicio.La ventaja más destacada de la integración fotónica basada en silicio es que el proceso es compatible con el proceso CMOS y el costo de producción es bajo, por lo que se considera el esquema de integración optoelectrónica e incluso totalmente óptica con mayor potencial.
Existen dos métodos de integración para dispositivos fotónicos basados en silicio y circuitos CMOS.
La ventaja del primero es que los dispositivos fotónicos y electrónicos se pueden optimizar por separado, pero el empaquetado posterior es difícil y las aplicaciones comerciales son limitadas.Este último es difícil de diseñar y procesar la integración de los dos dispositivos.En la actualidad, el ensamblaje híbrido basado en la integración de partículas nucleares es la mejor opción.
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